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Samsung develops Tbit V-NAND

  • 著者:Ella Cai
  • 公開::2017-08-11
Samsung says it has produced a Terabit 3D NAND flash memory which will be in production next year.

Samsung’s intention is to stack 16 Tbit die to deliver a 2TB memory in a chip package.

The Tbit chip has 96 layers and four-bit-per-cell (QLC) technology.